ALD优势

ALD优势

薄膜沉积通过原子后来沉积的最显着优点在其他方法中,在四个不同的区域 - 膜全能性,低温加工,化学计量控制和自我限制相关的固有薄膜质量和自组装性质中ALD机构ALD在涂覆表面的涂覆表面上特别有效,所述涂层表面具有超高纵横比地形的涂层表面,以及需要具有良好质量界面技术的多层膜的表面。

ALD用于高度可控的薄膜

  • 基于自限流,自组装行为的薄膜厚度,具有纳米电平控制

  • 多组分薄膜的化学计量控制

  • 电影/过程在非常大的区域上可扩展

  • 卓越的可重复性

  • 宽处理窗口(关于温度或前体剂量变化)

  • 低缺陷密度

  • 根据基材和温度的非晶或结晶膜类型

  • 多层涂层,异质结构,纳米胺,混合氧化物,梯度指数层和掺杂的微量控制

  • 可用于氧化物,氮化物,金属和半导体的标准配方


Cu2S / SNS2 / ZnS三层沉积在硅沟中。CZST薄膜组合物谱通过SIMS进行分析,不同的热退火后。
裁判:Thimsen等,材料化学,24(16),3188-3196(2013)。DOI:10.1021 / cm3015463

ALD用于高度可控的薄膜

  • 优异的保形性,100%阶梯覆盖:平面上的均匀涂层,内部多孔,颗粒样品周围

  • 原子平坦和光滑的涂层,其符合基板几何形状


300:1 AaO纳米板(470:1最终AR)中沉积Li5.1taoz沉积Li5.1taoz的保形沉积
参考:刘,J.等,J. Phy。化学。C 117,20260-20267(2013)。

ALD用于具有挑战性的基材

  • 敏感基材的温和沉积工艺

  • 低温沉积可能(RT-800°C)

  • 低功率等离子体处理(低至20-50W)能力

  • 在聚合物,OLED和贵金属表面上证明的涂层

  • 由于第一层的化学键引起的优异粘附性

  • 由于分子自组装引起的低应力

Al2O3 - ZrO2纳米烷基酸盐包封,其在室温下的5E-7G / M2 /天的水传输速率(WVTR) - 在80˚C下沉积在Savannah®中
参考:Meyer,J.,等。(2009)。应用物理信件,94(23),233305