ALD研究

ALD研究

Veec雷竞技官方网址o ALD Science团队参与了许多前沿的ALD和SAMS研究领域。虽然我们的工作不一定要共享,但下面是我们团队发布的参考文献列表。

2018

  • Lecordier,L.,Herregods,S.&Armini,S。铜上蒸汽沉积的十八烷硫醇掩蔽层,以使通过原位光谱椭圆形测量研究的电介质上实现区域选择性HF3N4原子层沉积。作者:王莹,中国真空科技A-VICUUM表面和薄膜CHINESE36031605 - 9(2018)。
  • R. Bhatia,“ALD TiO2的前驱体依赖光学性质”,第17期实习生。ALD conf., 2018,仁川
  • T. Walter, K. Cooley, A. Bertuch, S. Mohney,“基质对等离子体增强原子层沉积MoS2的影响”,第17期实习生。ALD conf., 2018,仁川
  • G. Sundaram,“生命科学中的ALD”,EFDS ALD工业第二研讨会,2018,德累斯顿DE

2017

  • 刘,Luting,Ritwik Bhatia和Thomas J. Webster。“纳米TiO2薄膜的原子层沉积,具有增强的矫形性植入物的生物相容性和抗微生物活性。”国际纳米医学杂志12(2017):8711。
  • Sowa,Mark J.,Yonas Yemane,Jinsong Zhange,Johanna C. Palmstrom,Ling Ju,Nicholas C. Strandwitz,Fritz B.Prinz和J. Provine。“等离子体增强超导氮化铌的原子层沉积”。真空科学与技术学报A辑:真空、表面和薄膜35,第35期。1(2017):01B143。
  • Bertuch, Adam, Brent D. Keller, Nicola Ferralis, Jeffrey C. Grossman和Ganesh Sundaram。等离子体增强原子层沉积碳化钼和氮化钼与双(叔丁酰)双(二甲酰胺)钼真空科学与技术学报A辑:真空、表面和薄膜35,第35期。1 (2017): 01 b141。
  • 张建平、朱立军、张永平、叶永平、张永平、张永平。等离子体增强原子层沉积超导铌钛氮化薄膜超导体科学与技术30,不。9(2017): 095010。
  • Takeuchi,Kazuma,Yuichiro Ezoe,Kumi Ishikawa,Masaki Numazawa,Masaru Terada,Daiki Ishi,Maiko Fujitani,Mark J. Sowa,Takaya Ohashi和Kazuhisa Mitsuda。“硅X射线微孔光学的”PT热原子层沉积“。应用光学器件57,否。12(2018):3237-3243。
  • Keller, Brent D., Adam Bertuch, J. Provine, Ganesh Sundaram, Nicola Ferralis和Jeffrey C. Grossman。原子层沉积氧化钼成核和大面积MoS2单层硫化的过程控制材料化学29,no。5(2017): 2024 - 2032。
  • M. Sowa,“PEALD VN的机械,物理和电学,使用TDMAV和N2等离子体”,AVS2017,奥兰多CA

2016

  • Bertuch, A., Keller, B. D., Ferralis, N., Grossman, J. C. & Sundaram, G.“等离子体增强原子层沉积碳化钼和氮与双(叔丁基limido)双(二甲酰胺)钼”。真空科学与技术学报,35,01B141(2016)。
  • 超导氮化铌的等离子体增强原子层沉积。真空科学与技术学报,35,01B143(2016)。
  • Sowa,M. J.,Yemane,Y.,Prinz,F. B.和普通的J.“碳化钨增强原子层沉积”。真空科技A-VICUUM表面和薄膜34,051516(2016)。
  • L. Lecordier, S. Armini,“利用气相沉积SAMS在金属铜和SiO2上实现区域选择性ALD的新方法”,第16期实习生。ALD会议,2016年,都柏林
  • A. Bertuch, B. Keller, N. Ferralis, J.C. Grossman, G. Sundaram,“等离子体增强的氮化钼原子层沉积”,第十六期实习生。ALD会议,2016年,都柏林
  • R. Bhatia,“铂ALD薄膜的平滑控制”,第十六期实习生。ALD会议,2016年,都柏林
  • M. Sowa,“等离子体增强超导NbN薄膜原子层沉积”,第十六期实习生。ALD会议,2016年,都柏林
  • B. Keller,A. Bertuch,F.Pinna,N. Ferralis,J. Provine,G. Sundara2和J. Grossman,“来自Ald钼氧化物的二维钼二硫化物”,2016年春季会议,Phoenix®Mrs

2015

  • B. Keller,A.Bertuch,N. Ferralis,J. Provine,J.C. Grossman和G. Sundaram,“生长,表征和二维钼二硫化物的应用”,第15天。ALD会议,2015年,波特兰,或
  • S. Warnat, C. Forbrigger, T. Hubbard, A. Bertuch,和G. Sundaram,“水介质/海水中的热MEMS驱动器操作:通过原子层沉积PolyMUMPs器件后处理的性能增强”,J. Vac。科学。抛光工艺。a33, 01a126 (2015)
  • L. Lecordier, Y2O3和Yttria稳定氧化锆的原子层沉积和原位表征,第228届ECS会议论文集,2015,Phoenix®AZ
  • Sowa,M.J.,血浆增强钨氮化物,第15族的原子层沉积。ALD会议,2015年,波特兰,或
  • 沃德弗里德,内夫,i.k。Lin, and R. Bhatia,“厚ALD Al2O3薄膜的热稳定性,第15期实习生。ALD会议,2015年,波特兰,或
  • Jonathan McBee,“Computer Science for the G Programmer: Dependency Inversion Principle”,LabView工艺会议,波士顿,MA, 2015

2014

  • A. Bertuch,G. Sundaram,M. Saly,D. Mosher和R. Kanjolia,使用双(叔丁基咪唑)双(二甲基脒)钼(二甲基脒)钼“,J.Vav,”氧化钼的原子层沉积“氧化钼的原子层沉积”。科学。Technol A,Vol.32,第1卷2014年
  • Lecordier L.等,基于原位的基于锂的多组分氧化物的过程优化,在第14次实习生。ALD会议,2014年,京都,日本
  • 陈建平,等离子体增强原子层沉积反应器壁条件对自由基和离子衬底通量的影响,中国科学:化学;科学。Technol, a32,01a106 (2014),https://dx.doi.org/10.1116/1.4831896
  • G. Sundaram。,L. Lecordier,“自发性流程优化的多元ALD电影”,Belux Workshop,2014年Belvaux,(Luxumbourg)

2013

  • G. Sundaram *,“原子层沉积与自组装分子”,年度IAP会议,佐治亚理工学院,亚特兰大,GA, 2013
  • 2013年5月,网络研讨会:M. Sowa“如何利用原子层沉积技术扩展你的研究能力”。
  • “氧化剂和沉积温度对ALD氧化铁的影响”,第13期实习生。ALD会议,2013年,圣地亚哥,加州
  • “PEALD反应器壁条件对自由基和离子衬底通量的作用”,第13期实习生。ALD会议,2013年,圣地亚哥,加州
  • A. Bertuch, G. Sundaram, M. Saly, D. Moser, R. Kanjolia“Atomic Layer Deposition of Molybdenum Oxide using bis(tert-butylimido)bis(dimethylamide) Molybdenum”,第13期。ALD会议,2013年,圣地亚哥,加州
  • G. Sundaram, *“原子层沉积在能源相关应用中的应用”,第60届国际真空学会研讨会,长滩,CA, 2013
  • 桑达拉姆,勒科迪尔。r·巴蒂亚*“使用原子层沉积(ALD)和自组装单层膜(SAMs)的气相表面功能化”电化学学会国际会议,旧金山,CA, 2013

2012

  • 下午5点Sundaram,L. Lecordier,M.Sershen,M.J.Dalberth,M. Ruffo,S. Magner。R. Bhatia,R.Coutu和J.s.Becker“原子层沉积的产业化(ALD):R2R应用的路径”,弗莱克国际会议,凤凰®AZ,2012
  • L. Lecordier, M. Dalberth, M. Sershen, M. Ruffo, R. Coutu, G. Sundaram, J. Becker "用于高通量辊对辊应用的空间ALD系统的设计迭代和过程优化"12日实习生。ALD会议,2012年,德累斯顿,德国
  • 刘国,Eric W. Deguns, Ganesh Sundaram, Jill S. Becker来自氧化物和氮化物的共形Fe,Co和Ni膜通过原子层沉积生长Eric W. Deguns, Ganesh Sundaram和Jill S. Becker,第12实习生。ALD会议,2012年,德累斯顿,德国
  • Ritwik Bhatia, Laurent Lecordier和Ganesh Sundaram“ALD薄膜生长的原位监测用于评价自组装单层膜”,第十二届实习生。ALD会议,2012年,德累斯顿,德国
  • L. Lecordier,R.Bhatia,M. Dalberth,G. Sundaram和J. Becker“原位QCM,以及热量的光谱椭圆形测定,等离子体ALD加工,第12个实习生。ALD会议,2012年,德累斯顿,德国
  • R. Bhatia,“用于TFT器件的金属氧化物原子层沉积”SEMICON West,旧金山,加利福尼亚州,2012年
  • L. Lecordier, *“原子层沉积与自组装单分子膜的原理与应用”,SPIE纳米技术研讨会,加州,2012
  • L. Lecordier,“自组装单层膜”,国际微纳米工程会议,图卢兹,法国,2012
  • M. SOWA,“PEALD反应堆墙壁条件在激进和离子基板势利的作用”,第59届国际美国真空学会,坦帕,佛罗里达州,2012年
  • L. Lecordier,“滚动ALD加工的进展”,第59国际美国真空学会,坦帕,佛罗里达州,2012年

2011

  • 通用Sundaram出版社*”“用于柔性和刚性基板的快速原子层沉积系统”,Flextech国际会议,菲尼克斯®AZ, 2012
  • L. Lecordier et.Al“从高纵横比纳米尺度到原子层沉积原理和新兴应用的卷涂涂层综述”L. Lecordier et.Al,AVS新英格兰会议,波士顿,MA,2011年
  • A. O 'Mahony等,“原子层沉积制备高k栅氧化物结构和电学特性”,以色列真空学会国际会议,特拉维夫,以色列,2011
  • M. Dalberth等,“ALD从原型到制造”,第11届实习生。ALD会议,2011,剑桥,MA
  • L. Lecordier等,“SAMs / ALD异质结构的快速气相表面功能化”,第11期实习生。ALD会议,2011,剑桥,MA
  • G.Liu等,“利用三(二甲基氨基)硅烷和臭氧热ALD高速生长SiO2”,第11期实习生。ALD会议,2011,剑桥,MA
  • G.M.Sundaram出版社*”Industrial ALD Systems:第11个实习生设计的作用“。ALD会议,2011,剑桥,MA
  • “一次制作电影一层”C&EN,2011
  • 通用Sundaram出版社*”原子层沉积的产业化:高速沉积的方法“,Eurocvd,Kinsale,爱尔兰,2011年
  • 通用Sundaram出版社,*”R2R应用的快速ALD流程进展“,弗莱克纳米材料研讨会,亚特兰大,GA,2011
  • G. Liu等,“AlN的原子层沉积(二甲基脒)铝和NH3”,电化学协会国际会议,波士顿,MA,2011年
  • gm Sundaram等人*,“辊对辊(R2R)应用的ALD方法进展”,国家纳米制造网络研讨会,波士顿,MA, 2011
  • 通用Sundaram等*”原子层沉积的工业化:从设计到沉积”,第58届国际美国真空学会研讨会,纳什维尔,TN, 2011
  • M.J. Sowa等人,“al -、Hf-和zr基ALD薄膜的弹性和水蒸气透过率”,第58届国际真空学会学术研讨会,北京,2011

2010

  • G. Liu, A. Bertuch, M. Sowa, Ritwik Bhatia, E. Deguns, M. Dalberth, G. Sundaram,和Jill S. Becker,“低蒸汽压ALD前体的前体升压”,第十实习生。ALD会议,2010,首尔,韩国
  • “等离子体增强ALD制备低电阻率TiN的工艺条件的作用”,第十届实习生。ALD会议,2010,首尔,韩国
  • g .《答:Bertuchr·巴蒂亚R. Coutu., 和M. Dalberth.E. deguns.g .刘m·索, 和j·贝克尔,“大尺寸原子层沉积”,第217届ECS会议,原子层沉积应用第33卷,第2期,拉斯维加斯,2010年10月10-15日
  • “利用氧化铝/氧化锌Ta2O5/Nb2O5制备具有定向可调电性能的涂层”,中国有色金属学报,2010,(1)。p . 101 - 110
  • M. Dalberth.m·索E. deguns.r·巴蒂亚答:Bertuchg .刘g .他, 和j·贝克尔,“含臭氧或氧等离子体的氧化铪的性质”,218ENS会议,原子层沉积应用,2010年10月10日至15日
  • 与KLA合著论文
  • M. Sowa, G. Sundaram, E. Deguns, R. Bhatia, M. Dalberth, A. Bertuch, G. Liu, J. Becker,“PEALD系统等离子体源操作对衬底离子轰击的作用及对HfO2和TiN薄膜性能的影响”,第57届国际真空学会学术研讨会,北京,2010
  • “柔性电子器件用ALD薄膜:应用底漆”。FlexTech趋势:显示和柔性印刷电子的世界新闻,2010。6:第7 - 11页。
  • Deguns, E.W,等,“Nb2O5的稳定有机金属前体”在波罗的海ALD 2010和GerALD 2。2010:德国汉堡
  • Deguns, E.W., etal ., Plasma-Enabled ALD of Niobium Nitride Using an organic metal Precursor, in ECS Transactions. 2010, ECS。p . 177 - 182
  • Sowa, m.j.等人,“推动ALD的极限”。陶瓷行业,2010年。160(5): 20页。
  • 剑桥纳米技术解决ALD阀门问题:一个案例研究气体和仪表,2010。4(4)。

2009

  • Sowa, M. J.等,“远程等离子体源性能及其对新型工业ALD系统薄膜沉积速率和性能的影响”,第9期实习生。ALD会议,2009,蒙特利加州
  • batia, R.等,“金属掺杂氧化锌的电学和光学性质”第9届原子层沉积国际会议。2009:Monterey, CA
  • “GaN纳米线谐振器作为ALD薄膜力学和沉积性能的测试平台”,第9届国际原子层沉积会议,2009。蒙特利,
  • Sundaram,G.M.等,“3D薄膜:非平面拓扑的ALD”。固态技术,2009。
  • Ritwik Bhatia, Mark Dalberth, Ganesh Sundaram和Jill Becker,“厚度和成分对掺杂ALD氧化锌电导率的影响”,春季研讨会,2009年4月16日,旧金山,加州

2008

  • “*原子层沉积技术的前沿应用”,国家自然科学基金面上项目,2008.12 - 2008.12
  • 丹尼尔,J.H.等,印刷电子材料的相互作用“,在材料研究室研讨会课程中。2008

2007

  • D.J. Monsma和J.S. Becker, *“Savannah®ALD系统:实现快速结果”,ECS Transactions,第11卷,2007年第7期

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